特許

J-GLOBAL ID：200903085883356072

薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 中西 史朗 ,  米田 清
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-266707
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111991
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の耐圧を向上する。【解決手段】 透明基板21上に断面が透明基板21側で広がる台形状を成すゲート電極22が配置される。ゲート電極22を被って膜厚T1が400Åの窒化シリコン膜23が積層され、この窒化シリコン膜23上に、膜厚T2が1200Åの酸化シリコン膜24が積層される。窒化シリコン膜23及び酸化シリコン膜24からなるゲート絶縁膜上に活性領域となる多結晶シリコン膜25が積層される。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板の一主面上に配置されるゲート電極と、前記基板上に前記ゲート電極を被って積層されるゲート絶縁膜と、前記ゲート電極を跨って前記ゲート絶縁膜上に積層される半導体膜と、前記半導体膜上に積層される層間絶縁膜と、を備え、前記ゲート電極は、前記基板に接する側で幅を広くすると共に、前記ゲート絶縁膜は、少なくとも1200Åの膜厚を有する酸化シリコン膜からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L 29/78 617 U ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 627 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-186743   出願人：ソニー株式会社