特許

J-GLOBAL ID：200903027279188064

薄膜トランジスタ

発明者： 碓井 節夫 ,  鈴木 信明 ,  ダラム パル ゴサイン
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-186743
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032083
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ゲート絶縁膜とチャネル領域との界面の表面粗さを小さくすることで、移動度を高めてトランジスタ特性や信頼性の向上を図る。【構成】 ガラス基板11上には金属ゲート電極12が形成され、その表面には陽極酸化で化成される酸化金属膜13が形成されている。さらに酸化金属膜13上にはゲート絶縁膜14が形成され、金属ゲート電極12の上方のゲート絶縁膜14上には多結晶シリコンからなるチャネル領域15が形成されている。チャネル領域15の両側にはソース・ドレイン領域17,18が形成されている。またゲート絶縁膜14は、窒化シリコン膜21と酸化シリコン膜22とを積層したものからなる。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に形成した金属ゲート電極と、前記金属ゲート電極の表面に陽極酸化で形成した金属酸化膜と、前記金属酸化膜上に形成したゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成した多結晶シリコンからなるチャネル領域と、前記チャネル領域の両側に形成したソース・ドレイン領域とからなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 23/14

FI (3件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 21/88 C ,  H01L 23/14 M

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 液晶表示装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-272667   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平1-276672
  
• 特開昭61-171166
  
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-102145   出願人：ソニー株式会社
• 特開平1-276672
  
• 特開昭61-171166