特許

J-GLOBAL ID：200903085887332445

半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法

発明者： 荒瀬 謙士朗
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-005193
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211809
出願日： 1994年01月21日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：

【要約】【目的】書き込み必要電圧の上昇、データ書き込みの特性バラツキを抑えることができ、繰り返し動作によるゲート絶縁膜の劣化によるデータ書き込み特性への影響が小さく、信頼性の向上を図れる半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法を実現する。【構成】DINOR型の半導体不揮発性記憶装置において、ドレイン拡散層3aの構造をソース拡散層2の構造よりも、フローティングゲート5とのオーバーラップ部分が大きく、かつ、その部分での拡散濃度を高く設定して、いわゆる非対称型メモリセルとして構成する。これにより、ソース側からの拡散層の伸びを抑え、短チャネル現象の増大をドレイン側のみに限定できる。

請求項（抜粋）：

FNトンネリングによりデータの書き込みおよび消去を行うDINOR型の半導体不揮発性記憶装置であって、ソースおよびドレイン拡散構造が非対称である半導体不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-014871
  
• 不揮発性記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-073341   出願人：ソニー株式会社
• 特開平2-128477