特許
J-GLOBAL ID：200903085896785550

反射型表示装置の画素電極作製方法

発明者：
安達 広樹

安達 広樹 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310032
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144927
出願日： 1996年11月06日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【課題】 反射型の液晶表示装置の画素電極の形成方法を簡略化する。【解決手段】 反射型の液晶表示装置の画素電極120をスパッタリングでもって形成されるアルミニウム膜でもって構成する。このアルミニウム膜の成膜の際、雰囲気中に意図的に水分を含有させ、さらに試料を加熱する。すると、アルミニウム粒の成長が起こり、その表面にμmオーダーの凹凸を有するものとなる。このアルミニウム膜は入射光を乱反射させ、見た目で白濁したものとなる。そして、反射型の液晶表示装置の画素電極に最適なものとなる。
請求項（抜粋）：
入射光を反射させる形式を有する表示装置の画素電極の作製方法であって、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする膜の成膜時に当該膜の表面に粒を形成し入射光が乱反射する表面を形成することを特徴とする反射型表示装置の画素電極作製方法
IPC (4件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/35
FI (3件)：
H01L 29/78 612 Z ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/35
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 特開昭61-107219
  • 特開平2-112112
  • 特開平2-163363
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審査官引用 (6件)
  • 特開昭61-107219
  • 特開平2-112112
  • 特開平2-163363
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