半導体薄膜の成長方法、および半導体レーザ装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-167192
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024278
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 ZnやMg等のp型ドーパントをドーピングしたp型層半導体薄膜にエッチングなどの加工を施した後、その上に半導体薄膜を再成長させる工程において、下地となるp層の半導体薄膜のキャリャ濃度の変化を制御しながら、半導体薄膜を再成長させることを可能にすることにある。【解決手段】 p型ドーパントがドーピングされた層を含む半導体薄膜が基板上に形成され、前記p型ドーパントがドーピングされた層の少なくとも一部を露出させた後、その上に半導体薄膜を再成長させる半導体薄膜の成長方法において、前記半導体薄膜が、減圧成長により成長されると共に、少なくとも、前記基板の温度を再成長を開始する温度に昇温させる工程中に、前記露出された層のp型ドーパント金属の有機金属化合物の気体を、前記基板上に供給してなることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

p型ドーパントがドーピングされた層を含む半導体薄膜が基板上に形成され、前記p型ドーパントがドーピングされた層の少なくとも一部を露出させた後、その上に半導体薄膜を再成長させる半導体薄膜の成長方法において、前記半導体薄膜は、減圧成長により成長されると共に、少なくとも、前記基板の温度を再成長を開始する温度に昇温させる工程中に、前記露出された層のp型ドーパント金属の有機金属化合物の気体を、前記基板上に供給してなることを特徴とする半導体薄膜の成長方法。

IPC (3件)：

H01S 5/223 , H01L 21/205 , H01S 5/12

FI (3件)：

H01S 5/223 , H01L 21/205 , H01S 5/12

引用特許：

審査官引用 (46件)

特開平1-286486
特開平1-286486
特開平2-022879

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