特許
J-GLOBAL ID：200903085911046858
帯電防止膜及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-230870
公開番号（公開出願番号）：特開平6-071805
出願日： 1992年08月31日
公開日（公表日）： 1994年03月15日
要約：
【要約】【目的】 単分子吸着膜またはその累積膜の分子中に金属錯体を導入することにより、極薄で透明性や耐久性が高く、所望の弱導電性を有する帯電防止膜を形成する。【構成】 表面に活性水素基2を含む基材1に、一端がシリル基で他端にリン酸基またはカルボキシル基を含む直鎖状炭素鎖分子からなる化学吸着単分子膜3を形成し、次いで金属塩の溶液に浸漬して金属錯体膜4を形成する。さらに金属錯体膜4の水酸基2 ́を利用して2層目の単分子膜5を形成し、累積膜6としてもよい。
請求項（抜粋）：
直鎖状炭素鎖を含む分子の基部が共有結合によって基材表面に化学吸着され、かつ単分子膜状または単分子累積膜状に形成されている帯電防止膜であって、前記直鎖状炭素鎖を含む分子の一端にリン酸金属錯体またはカルボキシ金属錯体が存在していることを特徴とする帯電防止膜。
IPC (5件)：
B32B 9/00
, C08J 5/18 CFJ
, C08J 7/00 306
, C08J 7/04
, C09K 3/16 107
