特許
J-GLOBAL ID：200903085914689903

単結晶の製造方法

発明者：
斎藤 広明

斎藤 広明 について

, 
関 章憲

関 章憲 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (4件)： 中島 淳 ,  加藤 和詳 ,  西元 勝一 ,  福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-199403
公開番号（公開出願番号）：特開2008-024554
出願日： 2006年07月21日
公開日（公表日）： 2008年02月07日
要約：
【課題】単結晶の基板に含まれる転位が、基板上の成長層へ伝播することを抑えることができ、また成長層での新たな転位の発生を抑制することができる単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】単結晶の表面にアルカリエッチングによってエッチピットを形成する工程と、前記エッチピットを形成した表面に、熱酸化処理により酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に保護膜を形成する工程と、前記エッチピット外部の保護膜及び酸化膜を除去する工程と、前記保護膜を形成した面に、単結晶を成長させる工程と、を有する単結晶の製造方法である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
第1の単結晶の表面にアルカリエッチングによってエッチピットを形成する工程と、 前記エッチピットを形成した表面に、熱酸化処理により酸化膜を形成する工程と、 前記酸化膜上に保護膜を形成する工程と、 前記エッチピット外部の保護膜及び酸化膜を除去する工程と、 前記保護膜を形成した面に、第2の単結晶を成長させる工程と、 を有する単結晶の製造方法。
IPC (5件)：
C30B 23/04 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/42 ,  C30B 25/04
FI (5件)：
C30B23/04 ,  H01L21/205 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/04
Fターム (44件)：
4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077BE08 ,  4G077BE15 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE07 ,  4G077SA01 ,  4G077SA06 ,  4G077TA01 ,  4G077TA06 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  4K030AA06 ,  4K030AA10 ,  4K030BA37 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030LA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AB06 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC07 ,  5F045AD18 ,  5F045AF02 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02 ,  5F045HA03 ,  5F045HA04 ,  5F045HA06 ,  5F045HA13 ,  5F045HA14 ,  5F045HA16
引用特許：
出願人引用 (1件)

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