半導体発光装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031200
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233816
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】異なる発光波長のLEDを高密度に集積する。【解決手段】第1〜第5の半導体層104〜107,103は、Al組成比が異なるAlGaAs層であり、第1〜第5の半導体層104〜107,103のエネルギーバンドギャップをそれぞれEg1,Eg2,Eg3,Eg4,Eg5とすると、Eg1<Eg2<Eg3<Eg4、Eg1<Eg5である。p型領域130a,130b,130cと半導体基板100のn型領域とによるpnフロント131a,131b,131cは、それぞれ第1の半導体層104内、第2の半導体層105内、第3の半導体層106内に形成されている。LED140a,140b,140cは、pnフロントが形成されている半導体層のエネルギーバンドギャップに応じた波長で発光する。これらのLEDは、p型領域130のピッチ寸法またはp型電極110のピッチ寸法で集積されている。

請求項（抜粋）：

発光波長が異なる複数の発光素子を有する半導体発光装置であって、半導体基板と、前記半導体基板の第1導電型領域にコンタクトする第1導電側電極と、前記半導体基板の複数の第2導電型領域にそれぞれ個別にコンタクトする複数の第2導電側電極とを備え、前記半導体基板が、発光層となる半導体層群と、半導体層群を部分的に含む前記第1導電型領域と、それぞれ基板上面の一部から半導体層群に達する前記複数の第2導電型領域と、前記第1導電型領域と前記複数の第2導電型領域によりそれぞれ形成された複数のpn接合面とを有し、前記半導体層群が、エネルギーバンドギャップの異なる複数の半導体層をエネルギーバンドギャップの小さい順に基板下面側から上面側に積層したものであり、それぞれの半導体層の内部または上面に、1個以上のpn接合面のフロント部が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭54-123884
特開昭54-048188
特開昭51-105281

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