特許

J-GLOBAL ID：200903086852200186

発光ダイオードおよびその製造方法

発明者： 荻原 光彦 ,  谷中 真澄
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130835
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330634
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 電気的特性が良好な発光ダイオードおよびその製造方法を提供すること。【構成】 拡散マスク13に設けられた拡散窓を通してZnを、選択的にn型の化合物半導体基板11中に拡散させてp型の拡散領域15を形成する。その後、SiN膜からなる層間絶縁膜を拡散マスクの上面から、拡散窓側の拡散マスクの側面を経て拡散領域15の上面に至る領域に設ける。その後、p側電極23aであるアルミニウム電極をエッチング済み層間絶縁膜21a上に設ける。この場合、アルミニウム電極をエッチング済み層間絶縁膜21a上に設ける際、アルミニウム膜をエッチングする。アルミニウム膜をエッチングする場合には、熱りん酸を用いる。その後、n側電極25を形成する。このようにして製造した発光ダイオードアレイでは、層間絶縁膜としてSiN膜が用いられている。

請求項（抜粋）：

第2導電型の拡散領域を表面に具えた第1導電型の化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板の上側に設けられた層間絶縁膜と、前記拡散領域と接触し、前記層間絶縁膜上に渡って配設されたアルミニウム電極またはアルミニウム合金電極とを具えた発光ダイオードアレイにおいて、前記層間絶縁膜がSiN膜、SiO2 膜、PSG膜、BSG膜、ZnO膜およびZnO/SiO2 混合膜の中から選ばれた少なくとも1種の膜から成ることを特徴とする発光ダイオード。

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-056967
  
• 発光ダイオードアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-208870   出願人：日本ビクター株式会社
• 特開昭62-016573
  
• 特開昭53-074360