特許

J-GLOBAL ID：200903085935598517

磁気記憶装置および磁気記憶アレイ

発明者： ヘンライン,ヴォルフガング ,  クロイプル,フランツ
出願人/特許権者： インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-512982
公開番号（公開出願番号）：特表2004-535074
出願日： 2002年07月04日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：

本発明は、磁気記憶装置および磁気記憶アレイに関するものである。磁気記憶装置は、磁化できる第1電極、磁化できる第2電極、および、少なくとも1つのナノチューブを備えている。このナノチューブは、これら2つの電極間に縦方向に配置され、ナノチューブの第1縦端部は第1電極に、ナノチューブの第2縦端部は第2電極に、連結されている。また、磁気記憶アレイは、複数の磁気記憶装置を備えている。

請求項（抜粋）：

磁気記憶装置であって、 磁化できる第1電極を有し、 磁化できる第2電極を有し、かつ 少なくとも1つのナノチューブを有し、当該ナノチューブが、上記電極間で縦方向に配置されているとともに、ナノチューブの第1縦端部では第1電極と、ナノチューブの第2縦端部では第2電極と接続しており、 外部磁界を供給することにより上記磁化できる電極のうち1つの磁化方向を設定することで、記憶情報を不揮発性に記憶できるようになっている、磁気記憶装置。

IPC (5件)：

H01L27/105 ,  B82B1/00 ,  G11C11/15 ,  H01L29/06 ,  H01L43/08

FI (5件)：

H01L27/10 447 ,  B82B1/00 ,  G11C11/15 110 ,  H01L29/06 601N ,  H01L43/08 Z

Fターム (5件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 固体メモリおよびメモリ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-312782   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 磁気電子デバイス及び磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-062425   出願人：株式会社日立製作所