特許

J-GLOBAL ID：200903085949172547

電界吸収効果を有する光半導体装置

発明者： 細田 誠 ,  冨永 浩司 ,  渡辺 敏英
出願人/特許権者： 株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-167685
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032107
出願日： 1994年07月20日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 入射光を微分することができる装置であって、従来例に比較し構成が簡単であってかつ消費電力が小さく、しかも時間応答が速い光半導体装置を提供する。【構成】 印加電界を変化することによって光吸収量が変化する電界吸収効果を有する光半導体素子10と、上記光半導体素子に接続され、上記光半導体素子において所定の光吸収量が生じるように、上記光半導体素子に所定の印加電界を印加するための逆バイアス電圧印加用直流電源30とを備え、上記光半導体素子に光微分すべき信号光を入射することによって、上記光半導体素子における電界スクリーニング効果により、当該信号光を入射した上記光半導体素子から上記信号光を光微分した微分光を得る。

請求項（抜粋）：

印加電界を変化することによって光吸収量が変化する電界吸収効果を有する光半導体素子と、上記光半導体素子に接続され、上記光半導体素子において所定の光吸収量が生じるように、上記光半導体素子に所定の印加電界を印加するための逆バイアス電圧印加用直流電源とを備え、上記光半導体素子に光微分すべき信号光を入射することによって、上記光半導体素子における電界スクリーニング効果により、当該信号光を入射した上記光半導体素子から上記信号光を光微分した微分光を得ることを特徴とする電界吸収効果を有する光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/14 ,  G02F 1/35 ,  H01L 31/10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体光微分器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-220040   出願人：株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所