特許

J-GLOBAL ID：200903085991675680

半導体装置

発明者： デイビッド ピー.バウアー ,  フェルナンド エー.ポンス ,  ジー.エー.ネビル コネル ,  ロス ディー.ブリンガンス ,  ノーブル エム.ジョンソン ,  ベルナー カー.ゲーツ ,  リンダ ティー.ロマノ
出願人/特許権者： ゼロックス コーポレイション
代理人 (1件)： 中島 淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-346706
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190135
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】 優れた構造的、光学的、及び電子的特性を有し、高性能の半導体装置を提供する。【解決手段】 エピタキシャルプロセスの前に、”C”-平面サファイア(Al2 O3 )基板を窒化処理し、この間この基板を1000°Cより高い温度で瞬間的にアンモニアガスに露呈する。この露呈時間は多くの状況において重要なものではない。アンモニアガスへのこの露呈時間は数秒から数分の範囲であってもよい。一般に、基板は約5〜10分の間アンモニアに露呈される。この窒化プロセスは基板の表面上の酸素原子を窒素原子に置換し、この表面上の酸化アンモニウムを窒化アンモニウムに変える。アンモニアの代わりに、ヒドラジン、フェニルヒドラジン、又は他の有機窒素分子等の500°Cより高い温度で十分に高温処理された他の窒素前駆体を使用してもよい。

請求項（抜粋）：

複数の半導体層の形態で結晶体構造を含む本体を有する半導体装置であって、前記結晶体構造が前記複数の半導体層のうちの1つの自然格子の発現である、半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 六方晶半導体リング共振器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-256644   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-065546   出願人：株式会社日立製作所