特許
J-GLOBAL ID：200903086005864248
高位置固定均一化リング
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
五十嵐 孝雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-506575
公開番号（公開出願番号）：特表2003-503840
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月28日
要約：
【要約】半導体基板(312)を処理するプラズマ処理リアクタ(300)を開示する。この装置はチャンバ(302)を含む。加えて、このチャンバ(302)は基板を保持するために構成された底部電極(314)を含む。この装置はさらに、基板の外周を取り囲むように構成された固定均一化リング(350)を含む。さらに、この固定均一化リングはチャンバの一部と結合し、底部電極の上に間隔を空けた関係で配置され、底部電極の上に垂直空間(354)を形成する。さらに、この垂直空間は基板の出入りのための余地を提供するように設計される。また、この固定均一化リングは、固定均一化リングの外側から基板縁部に向けての第一の粒子の拡散を実質的に減少させる厚さ(380)を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板を処理するプラズマ処理リアクタであって、 前記基板を保持するように構成された底部電極を含むチャンバと、 前記基板の外周を取り囲むように構成された固定均一化リングであって、前記チャンバの一部と結合され、前記底部電極の上方に垂直空間を形成するように、前記底部電極の上方に空間をあけた関係で配置された固定均一化リングと、を備え、 前記垂直空間は、前記基板が出入りするための空間を提供するように構成され、 前記固定均一化リングは、前記固定均一化リングの外側から前記基板の縁部に向けての第一の粒子の拡散を実質的に減少させる厚さを有する、プラズマ処理リアクタ。
Fターム (4件)：
5F004AA01
, 5F004BA20
, 5F004BB23
, 5F004BB29
