MISキャパシタ及びそれを用いた半導体装置並びに半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053564
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338589
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】容量値の電圧依存性が実用可能な程度に小さいMISキャパシタと、このMISキャパシタを搭載した半導体装置とを低コストで提供する。【構成】電気回路に接続される2つの第1,第2端子の間に介設されるMISキャパシタとして、共通の半導体基板上に、第1,第2容量絶縁膜21,22と、第1,第2容量絶縁膜上の第1,第2導電膜31,32と、第1,第2容量絶縁膜下方の第1,第2不純物拡散領域11,12とが形成されている。そして、第1導電膜31と第2不純物拡散領域12とを第1端子61に接続する第1配線51と、第2導電膜31と第1不純物拡散領域12とを第2端子62に接続する第2配線52とが形成されている。これにより、MISキャパシタ特有の電圧依存性を互いに打ち消して小さく抑制する。1層のポリシリコン膜を用いるプロセスでMISキャパシタを安価に、小面積で形成することができる。

請求項（抜粋）：

電気回路に接続される2つの第1,第2端子の間に介設されるMISキャパシタであって、共通の半導体基板上に形成された第1,第2容量絶縁膜と、上記第1,第2容量絶縁膜の上にそれぞれ形成された第1,第2導電膜と、上記第1,第2容量絶縁膜の下方の半導体基板内にそれぞれ同じ導電型の不純物が導入されて形成された第1,第2不純物拡散領域と、上記第1導電膜と第2不純物拡散領域とを上記第1端子に接続する第1配線と、上記第2導電膜と第1不純物拡散領域とを上記第2端子に接続する第2配線とを備えたことを特徴とするMISキャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 27/088 , H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/08 102 A , H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平2-241061
特開平4-370965
特開昭63-308366

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