特許
J-GLOBAL ID:200903086022706052

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉田 茂明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-363710
公開番号(公開出願番号):特開2003-229571
出願日: 1995年01月09日
公開日(公表日): 2003年08月15日
要約:
【要約】【目的】 パワーデバイスの特性、特にオン電圧を改善する。【構成】 トレンチMOSゲート部132において、ゲート電極22は長手方向のBB断面において、トレンチの開口部5eを覆う。トレンチは長手方向に平行に配列されるので、ゲート電極22がトレンチの開口部5eを覆っても、集積度を損なわない。しかも、トレンチの開口部5e、底部6dは丸みを帯びた緩やかな面となっているので、電界集中を回避することができる。
請求項(抜粋):
主面を有する半導体からなる基体と、前記主面から所定の深さに位置する底面と、平面視上で所定の方向に延在する開孔部とを有して前記基体に選択的に形成され、前記所定の方向に平行に配列される複数の溝部と、前記溝部の内壁上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜を介して前記溝部の内部に充填され、前記溝部の前記所定の方向の端部を覆って前記主面の上方に至る制御電極層と、前記制御電極層上に、前記主面より突出して形成された絶縁層とを備え、前記端部における前記開孔部のエッジ及び前記端部における前記底面の少なくとも一方が丸みを帯びた緩やかな面を有する半導体装置。
IPC (13件):
H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/762 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 29/749 ,  H01L 29/786 ,  H01L 29/861
FI (14件):
H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 S ,  H01L 29/78 655 A ,  H01L 27/08 331 A ,  H01L 29/78 658 G ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 301 V ,  H01L 21/76 D ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/58 G ,  H01L 29/91 D ,  H01L 29/74 601 A ,  H01L 29/78 621
Fターム (90件):
4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB26 ,  4M104BB28 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104GG07 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  5F005AA02 ,  5F005AB03 ,  5F005AC02 ,  5F005AE09 ,  5F005BA02 ,  5F005BB01 ,  5F005BB02 ,  5F032AA06 ,  5F032AA36 ,  5F032AA37 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032AA47 ,  5F032CA15 ,  5F032CA17 ,  5F032CA21 ,  5F032CA24 ,  5F032DA22 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA26 ,  5F032DA53 ,  5F032DA71 ,  5F048AA05 ,  5F048AA07 ,  5F048AC01 ,  5F048AC06 ,  5F048BA01 ,  5F048BA07 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB16 ,  5F048BC03 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BD06 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048BG13 ,  5F048BG14 ,  5F048CB06 ,  5F048CB07 ,  5F110AA11 ,  5F110BB12 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110HM12 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ17 ,  5F140AA01 ,  5F140AA19 ,  5F140AA21 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA05 ,  5F140BB02 ,  5F140BC15 ,  5F140BE01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF43 ,  5F140BG37 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CE03
引用特許:
出願人引用 (6件)
  • 特開平1-192175号公報
  • 特開昭59-40579号公報
  • 特開平4-188877号公報
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