特許
J-GLOBAL ID:200903086026620160
欠陥検査方法および装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-296649
公開番号(公開出願番号):特開平11-132959
出願日: 1997年10月29日
公開日(公表日): 1999年05月21日
要約:
【要約】【課題】半導体ウエハの欠陥を検出する高感度な被検査パターンの欠陥検査方法を提供する。【解決手段】同一となるように形成されたチップ20を複数個配置した被検査パターンの欠陥検査方法で、被検査パターンの画像信号を検出し、これを基板上の隣接或いは離れた被検査パターンの検出画像信号と比較する際、当該検出画像信号のいずれか、或いは双方を2つの比較する画像信号の明るさを、ゲインとオフセットよりなる線形変換により局所領域内でほぼ同一となるように階調変換し、これを用いてパターンを検査する。
請求項(抜粋):
同一となるように形成されたパターンが複数個配置された基板を撮像して該基板上に配置された第1のパターンの画像を検出し、該検出した第1のパターンの画像を記憶し、前記基板を撮像して前記第1のパターンと同一になるように形成された第2のパターンの画像を検出し、前記記憶した第1のパターンの画像と前記検出した第2の画像とのずれを画素単位で補正し、該ずれを画素単位で補正した前記記憶した第1のパターンの画像と前記検出した第2の画像とを用いて前記パターンの欠陥を検出する欠陥検査法方であって、前記パターンの欠陥を検出する前に、前記記憶した第1のパターンの画像と前記検出した第2のパターンの画像との少なくとも何れか一方の階調を変換することを特徴とする欠陥検査方法。
IPC (3件):
G01N 21/88
, G01B 11/30
, G06T 7/00
FI (3件):
G01N 21/88 E
, G01B 11/30 E
, G06F 15/70 330 N
引用特許:
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