特許
J-GLOBAL ID：200903086032436649
記憶素子及びメモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-059393
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245322
出願日： 2005年03月03日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】 比較的単純な構造で不揮発性メモリを構成することができる記憶素子を提供する。【解決手段】 Zr,Hfから選ばれる少なくとも一種以上の元素の酸化物を主体とする酸化物層13と、この酸化物層13の下層及び上層に、それぞれTi,Zr,Hf,Taから選ばれる少なくとも一種以上の元素と窒素とから成る導電性窒化物層12,14が積層されて成る記憶素子10を構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Zr,Hfから選ばれる少なくとも一種以上の元素の酸化物を主体とする酸化物層と、
前記酸化物層の下層及び上層に、それぞれTi,Zr,Hf,Taから選ばれる少なくとも一種以上の元素と窒素とから成る導電性窒化物層が積層されて成る
ことを特徴とする記憶素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F083FZ10
, 5F083GA09
, 5F083JA02
, 5F083JA39
, 5F083JA40
