特許
J-GLOBAL ID：200903086972042126
2成分系金属酸化膜をデータ保存物質膜として採用する交差点不揮発性記憶素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-304896
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140464
出願日： 2005年10月19日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：
【課題】2成分系金属酸化膜をデータ保存物質膜として採用する交差点不揮発性記憶素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板内に複数の平行なドーピングラインが配置される。複数の平行な上部電極が前記ドーピングラインと重畳される部分に交差点を形成するように前記ドーピングラインの上部を横切る。前記ドーピングラインと前記上部電極の間の前記交差点に複数の下部電極が位置する。データ保存物質膜として提供される2成分系金属酸化膜が前記上部電極と前記下部電極との間に介在している。前記ドーピングラインとともにダイオードを構成し、前記ドーピングラインと反対の導電型を有するドーピング領域が前記下部電極及び前記ドーピングラインの間に介在している。前記不揮発性記憶素子を製造する方法も提供する。【選択図】図6A
請求項（抜粋）：
基板内に配置された複数の互いに平行なドーピングラインと;
前記ドーピングラインと重畳される部分に交差点を形成するように前記ドーピングラインの上部を横切る複数の互いに平行な上部電極と;
前記ドーピングラインと前記上部電極の間の前記交差点にそれぞれ位置する複数の下部電極と;
前記上部電極と前記下部電極との間に介在して、データ保存物質膜として提供される2成分系金属酸化膜と;
前記下部電極及び前記ドーピングラインの間に介在して前記ドーピングラインとともにダイオードを構成し、前記ドーピングラインと反対の導電型(opposite conductivity)を有するドーピング領域と、
を含むことを特徴とする不揮発性記憶素子。
IPC (3件)：
H01L 27/10
, H01L 45/00
, H01L 49/00
H01L27/10 451
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
5F083FZ10
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083PR40
出願人引用 (18件)
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審査官引用 (20件)
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