特許
J-GLOBAL ID:200903086038771318
欠陥および引っ張り残留応力を形成する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
藤野 清也 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-582793
公開番号(公開出願番号):特表2002-530646
出願日: 1999年11月16日
公開日(公表日): 2002年09月17日
要約:
【要約】様々な種類の試験片において、自然の傷および残留応力に対応する制御された欠陥を形成するために用いられる方法。自然の傷と同じ欠陥は、非破壊試験(NDT)手法の適格性を検定するために必要である。この方法では、連続して繰り返される加熱-冷却サイクルが、欠陥および残留応力を形成するために用いられる。加熱および冷却パターンの形状、加熱および冷却の持続時間、ならびに熱サイクルの数は、得られる欠陥および残留応力のサイズを制御するために用いられる。欠陥は、初期の傷または他の核形成促進剤を用いずに成長する。欠陥は、形態学、そしてまたNDT法を用いて得られる信号により自然の傷に対応し、例えば、NDT適格ブロックに用いるのに適している。
請求項(抜粋):
試験片に人工的な欠陥および/または残留応力を形成する方法であって、物体を交互に加熱および冷却し、欠陥および/または残留応力を形成することを特徴とする方法。
IPC (4件):
G01N 29/22 507
, G01N 1/28
, G01N 3/60
, G01N 21/91
FI (4件):
G01N 29/22 507
, G01N 3/60
, G01N 21/91 A
, G01N 1/28 B
Fターム (11件):
2G047AA07
, 2G047AC01
, 2G047BC07
, 2G047GJ22
, 2G051GA01
, 2G052AA11
, 2G052GA02
, 2G052GA26
, 2G061AA01
, 2G061AB05
, 2G061BA03
引用特許:
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