特許
J-GLOBAL ID：200903086042595656
軟磁性薄膜およびその製造方法ならびに無電解めっき浴
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-024747
公開番号（公開出願番号）：特開平7-220921
出願日： 1994年01月27日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：
【要約】【目的】 良好な軟磁気特性を示し、組成分布および厚さ分布の均一性が良好で、しかも飽和磁束密度が高く耐熱性が良好な軟磁性薄膜を提供する。また、このような軟磁性薄膜を、管理および制御が容易で量産性に優れた無電解めっき法により形成する方法を提供する。また、このような無電解めっき法に用いるめっき浴を提供する。【構成】 Co、FeおよびBを含有し、Feの含有率が8〜15原子%であり、保磁力が2 Oe 以下である軟磁性薄膜を無電解めっき法により形成する際に、Coイオン、Feイオン、硼素含有還元剤および亜燐酸イオンを含有し、亜燐酸イオンの濃度が0.01モル/リットル以上である無電解めっき浴を用いる。
請求項（抜粋）：
Co、FeおよびBを含有し、Feの含有率が8〜15原子%であり、保磁力が2 Oe 以下であって、無電解めっき法により形成されたことを特徴とする軟磁性薄膜。
IPC (4件)：
H01F 10/16
, C23C 18/50
, H01F 41/24
, C23C 30/00
