被露光基板、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-272280
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100713
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】フォトリソグラフィー技術を用いて、正確性を十分確保しつつも最小限の手間で広い被露光面に微細な所望のパターンを高いスループットをもって投影露光する。【解決手段】ウェハー5の両面をそれぞれパターニングし、各面に階段状パターンを有する回折光学素子を形成する際に、一方の面のみにアライメントマークを形成し、他方の面を露光する際には、そのとき裏面(一方の面)に存するアライメントマークを検出して位置合わせを行う。即ち、補正光学系31の調整によりウェハー5の表面に位置するアライメントマークAMのみならず、ウェハー5が裏返されたときにその裏面に位置するアライメントマークAMも照明する。

請求項（抜粋）：

両面に露光される被露光基板であって、アライメント光に対して光透過性を有し、一方の面に、両面のそれぞれの露光時に用いる位置合わせ用のアライメントマークを備えることを特徴とする被露光基板。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , G03F 9/00

FI (4件)：

H01L 21/30 502 M , G03F 7/20 521 , G03F 9/00 H , H01L 21/30 525 R

Fターム (3件)：

5F046AA11 , 5F046AA15 , 5F046FA14

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-201380 出願人：オムロン株式会社

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