特許
J-GLOBAL ID：200903086050406331
反射型X線マスク構造体、X線露光装置、X線露光方法ならびに該反射型X線マスク構造体を用いて作製されるデバイス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032377
公開番号（公開出願番号）：特開平9-232203
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体露光装置でステップ・アンド・リピート露光やステップ・アンド・スキャン露光を行ってもウェハ上の隣り合う露光領域の境界部分で多重露光領域を発生することのない反射型X線マスク構造体、高密度でのパターン転写を良好に行うことのできるX線露光装置および露光方法、そして従来より高集積度のデバイスを得る。【解決手段】 X線吸収体パターン33、X線を反射するX線反射多層膜32およびそのX線反射多層膜を支持する支持基板31とを有し、パターン転写領域以外のX線反射率がパターン転写領域のX線反射率により低い反射型X線マスク構造体を作製し、そのX線マスク構造体を用いてX線露光を行って、半導体デバイスを得る。
請求項（抜粋）：
X線吸収体パターン、X線を反射するX線反射多層膜および該X線反射多層膜を支持する支持基板を有する反射型X線マスク構造体において、パターン転写領域以外のX線反射率がパターン転写領域のX線反射率より低いことを特徴とする反射型X線マスク構造体。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 503
, G03F 7/20 521
, G21K 5/02
H01L 21/30 531 M
, G03F 7/20 503
, G03F 7/20 521
, G21K 5/02 X
, H01L 21/30 531 A
, H01L 21/30 531 E
