特許

J-GLOBAL ID：200903086078754530

気相薄膜成長装置及び気相薄膜成長方法

発明者： 大橋 忠 ,  茶木 勝弘 ,  辛 平 ,  藤井 達男 ,  岩田 勝行 ,  三谷 慎一 ,  本多 恭章 ,  佐藤 祐輔
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社 ,  東芝機械株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 木下 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-240330
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067674
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 高品質が要求される半導体ウエハ基板の製造工程に適用される反応ガス流が安定しパーティクルの発生及び付着が少なくメンテナンスサイクルが長期である気相薄膜成長装置により結晶欠陥が少なく均一な膜厚の薄膜を気相成長する。【解決手段】 中空の反応炉10の頂部に複数の反応ガス供給口16、底部に排気口15、内部にウエハ基板11を載置する回転基板保持体12、及び、内部上部に複数の孔が穿設された整流板17を有し、内部に反応ガスを供給して回転基板保持体上のウエハ基板表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記反応炉10の中空内部が、内径が異なる上下部1、2に区分され、上部の内径D1 が下部の内径D2 より小さく、且つ、上部下端と下部上端とが連結部により接続され中空内部が連続すると共に、前記回転基板保持体が反応炉下部内の該上部下端より所定の高低差Hを有して下方に位置して配設される。

請求項（抜粋）：

中空の反応炉の頂部に複数の反応ガス供給口、底部に排気口、内部にウエハ基板を載置する回転基板保持体、及び、内部上部に複数の孔が穿設された整流板を有し、内部に反応ガスを供給して回転基板保持体上のウエハ基板表面に薄膜を気相成長させる気相成長装置において、前記反応炉の中空内部が、内径が異なる上下部に区分され、上部の内径が下部の内径より小さく、且つ、上部下端と下部上端とが連結部により接続され中空内部が連続すると共に、前記回転基板保持体が反応炉下部内の該上部下端より所定の高低差を有して下方に位置して配設されることを特徴とする気相薄膜成長装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/44 J ,  C23C 16/44 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-111521
  
• 半導体化学気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-091722   出願人：株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 気相成長装置及び気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-354382   出願人：東芝セラミックス株式会社, 東芝機械株式会社
• 特開昭61-111521