固体撮像装置

発明者： , , , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-070893
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274458
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】低電圧でもCCDと同様な読み出しを可能とするため、読み出しトランジスタのドレイン側のイオン注入領域をゲートの下方に延出して形成すること。【解決手段】Pウェル10の表面部より所定位置に、光を電荷に変換するフォトダイオード11のn型拡散層12を形成する。Pウェル10の表面部には、上記n型拡散層12の上方にはサーフェイスシールド層と、このサーフェイスシールド層13と所定距離離間して読み出し用のトランジスタのドレイン14を形成する。上記Pウェル11の表面上には、フォトダイオードのn型拡散層12に蓄積された電荷をドレイン14に読み出すためのゲート15を設ける。上記ドレイン14は、少なくともその一部がトランジスタのチャネル方向に於いてゲート15の下方で重なるように、突出部17を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、単位セルを行列二次元状に配置して成る撮像領域と、撮像領域の各セルからの信号を読み出す信号走査部からなる固体撮像装置に於いて、上記半導体基板の基板界面から基板深さ方向に所定距離離間された位置に設けられて、光電変換により得られた信号電荷を蓄積する信号蓄積領域と、上記半導体基板の表面で上記信号蓄積部に近接して設けられるもので、上記信号蓄積部から信号電荷を排出するMOS型トランジスタのゲート電極と、上記半導体基板表面部で上記ゲート電極に隣接して設けられるもので、少なくとも一部はそのチャネル方向に於いて上記ゲート電極と重なるように突出形成されたMOS型トランジスタのドレイン領域とを具備することを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 P , H04N 5/335 E

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-014958
特開平1-014958
特開平1-014958

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