特許

J-GLOBAL ID：200903086132153032

バンプ付電子部品の製造方法

発明者： 小山 賢秀
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-226035
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067838
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 簡単かつ低コストで歩留りよく製造できるバンプ付電子部品の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基材にエッチングにより凹部を形成し、凹部の表面にメッキ手段により電極6,7を形成する。電極6上にチップ10を搭載し、チップ10のパッドと電極7をワイヤ11で接続する。チップ10とワイヤ11を樹脂で封止してモールド体12とした後、基材1を除去し、電極6,7を露呈させてバンプとする。次にモールド体12同士を連結する薄肉部を切断して単品のバンプ付電子部品14を得る。

請求項（抜粋）：

基材の表面に局所的に複数個の凹部を形成する工程と、これらの凹部の表面に導電材をコーティングして複数個の電極を形成する工程と、複数個の電極のうちの何れかの電極上にチップを搭載する工程と、このチップと他の電極をワイヤで接続する工程と、チップとワイヤを樹脂で封止する工程と、前記樹脂と前記電極とを一体的に前記基材から分離して前記電極の下面を露呈させて前記電極をバンプとする工程と、を含むことを特徴とするバンプ付電子部品の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 23/28 ,  H01L 21/60

FI (5件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 23/28 A ,  H01L 21/92 602 M ,  H01L 21/92 621 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法及びリードフレーム及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-322803   出願人：富士通株式会社
• チップ型発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-340795   出願人：株式会社シチズン電子