半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-013644
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216089
出願日： 1999年01月21日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】絶縁表面を有する基板上に非常に高性能で高信頼性を有する半導体装置を、より高い歩留まりで作製する製造方法を提供する。【解決手段】アモルファスシリコン膜を、触媒元素を用いて結晶化して、結晶性シリコン膜を形成する工程を包含する半導体装置の製造方法が、絶縁性表面を有する基板上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、該アモルファスシリコン膜の所定の領域にゲッタリング元素を導入する工程と、該アモルファスシリコン膜に触媒元素を導入する工程と、該触媒元素が導入された該アモルファスシリコン膜を加熱して、結晶化することにより結晶性シリコン膜を形成する結晶化工程と、該触媒元素と該ゲッタリング元素とを含む該アモルファスシリコン膜を加熱して、該アモルファスシリコン膜の該所定の領域に該触媒元素を集めるゲッタリング工程とを包含し、該結晶化工程と該ゲッタリング工程とが、単一の加熱工程で行われる。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコン膜を、触媒元素を用いて結晶化して、結晶性シリコン膜を形成する工程を包含する半導体装置の製造方法であって、絶縁性表面を有する基板上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、該アモルファスシリコン膜の所定の領域にゲッタリング元素を導入する工程と、該アモルファスシリコン膜に触媒元素を導入する工程と、該触媒元素が導入された該アモルファスシリコン膜を加熱して、結晶化することにより結晶性シリコン膜を形成する結晶化工程と、該触媒元素と該ゲッタリング元素とを含む該アモルファスシリコン膜を加熱して、該アモルファスシリコン膜の該所定の領域に該触媒元素を集めるゲッタリング工程とを包含し、該結晶化工程と該ゲッタリング工程とは、単一の加熱工程で行われる、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/322 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/322 R , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 C

Fターム (53件)：

5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052BB07 , 5F052CA02 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052HA01 , 5F052HA07 , 5F052JA01 , 5F052JA04 , 5F110AA06 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE34 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG33 , 5F110GG35 , 5F110GG45 , 5F110GG53 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL11 , 5F110HL24 , 5F110HM14 , 5F110HM18 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP22 , 5F110PP34 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-151543 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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