特許
J-GLOBAL ID：200903041606758026
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151543
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097352
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：
【要約】【課題】 ニッケル元素を利用した非晶質珪素膜の結晶化と、結晶化に寄与したニッケル元素の除去とを効果的に行う。【解決手段】 非晶質珪素膜102上にマスク103を設けて、ニッケルを含有させた酸化膜パターン107と108とを形成する。そして109の領域に燐のドーピングを行う。その後に加熱を行い、ニッケル元素を110及び111で示す経路でもって拡散させる。ニッケル元素は非晶質珪素膜中を拡散し、領域109の燐にゲッタリングされる。こうして、ニッケルの拡散による結晶化とニッケルのゲッタリングとを同時に行うことができる。
請求項（抜粋）：
非晶質珪素膜の一部の領域から他の領域へと結晶成長を行わす工程を有し、結晶成長は珪素の結晶化を助長する金属元素の移動に従って行われるものであり、前記一部の領域から前記金属元素の拡散を生じさせ、前記他の領域において前記金属元素のゲッタリングを行わせること、を特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/322
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 21/322 R
, H01L 29/78 618 G
, H01L 29/78 627 G
