特許

J-GLOBAL ID：200903086140019400

非ベンゼノイド炭素系材料及びその製造方法

発明者： 渡 辺 和 廣 ,  七 井 識 成 ,  土 屋 宗 次
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 蔵合 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-186041
公開番号（公開出願番号）：特開2000-021403
出願日： 1998年07月01日
公開日（公表日）： 2000年01月21日
要約：

【要約】【課題】 非ベンゼノイド炭素系材料が持つ高いリチウムの吸蔵能力を生かし、低い不可逆容量と繰り返し安定性が高い非ベンゼノイド炭素系材料を実現すること。【解決手段】 (1)非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物と易黒鉛化材料を混合した後に熱処理を行う。或いは、(2)易黒鉛化材料と環形成炭素の少なくとも2個に反応性アルキル基を有する単環または縮合多環の芳香族化合物とを反応させた高分子化合物と、非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物と混合した後に熱処理を行う。この方法により表面は黒鉛構造に近い層状構造を有するが、内部は炭素層面間隔(d002 )が0.37nm以上の炭素材料が実現され、低い不可逆容量と繰り返し安定性が高いという特性が得られる。

請求項（抜粋）：

非ベンゼン系縮合多環芳香族化合物と易黒鉛化材料を混合した後に熱処理することを特徴とする非ベンゼノイド炭素系材料の製造方法。

IPC (7件)：

H01M 4/58 ,  C01B 31/02 101 ,  C10C 3/10 ,  H01M 4/02 ,  H01M 4/04 ,  H01M 4/60 ,  H01M 10/40

FI (7件)：

H01M 4/58 ,  C01B 31/02 101 Z ,  C10C 3/10 ,  H01M 4/02 D ,  H01M 4/04 A ,  H01M 4/60 ,  H01M 10/40 Z

Fターム (45件)：

4G046CA04 ,  4G046CA07 ,  4G046CB09 ,  4G046CC02 ,  4G046CC03 ,  4H058DA01 ,  4H058DA13 ,  4H058DA17 ,  4H058EA12 ,  4H058EA32 ,  4H058EA45 ,  4H058EA47 ,  4H058FA31 ,  4H058GA17 ,  4H058HA13 ,  5H003AA02 ,  5H003AA04 ,  5H003BA01 ,  5H003BA03 ,  5H003BB02 ,  5H003BC01 ,  5H003BC05 ,  5H003BC06 ,  5H003BD01 ,  5H003BD02 ,  5H014AA02 ,  5H014BB01 ,  5H014BB06 ,  5H014CC01 ,  5H014EE07 ,  5H014HH06 ,  5H014HH08 ,  5H029AJ03 ,  5H029AJ05 ,  5H029AM03 ,  5H029AM04 ,  5H029AM05 ,  5H029AM07 ,  5H029CJ02 ,  5H029CJ08 ,  5H029CJ28 ,  5H029DJ16 ,  5H029DJ17 ,  5H029HJ13 ,  5H029HJ14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 二次電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-114881   出願人：三菱化成株式会社
• 非ベンゼノイド炭素系材料の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238574   出願人：新技術事業団
• 非ベンゼノイド炭素系材料の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238576   出願人：新技術事業団
• 非ベンゼノイド炭素系材料の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-238575   出願人：新技術事業団, 橋詰賢一