X線露光用マスクおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-244206
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111369
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】【目的】微細な径の開孔パターンを容易に形成し、位相シフト効果を利用してX線露光の解像力を向上させる。【構成】回路パターンを被加工物に転写するX線露光用マスクにおいて、X線透過膜1上に形成されたX線吸収体2に開孔部を形成した後に、開孔部の側壁に重元素4またはX線の位相をシフトさせる物質5を付着させる。

請求項（抜粋）：

X線露光により回路パターンを被加工物に転写するためのX線露光用マスクにおいて、X線吸収体パターンの開孔部の側壁に重元素またはX線の位相をシフトさせる物質を付着させた構造を有することを特徴とするX線露光用マスク。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 503 , G03F 7/20 521

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-169927
特開平3-192717
X線露光マスク及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-046461 出願人：日本電気株式会社

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