特許

J-GLOBAL ID：200903086163689755

リセット状態での相変化物質の抵抗値の範囲を均一に維持する相変化メモリ装置及びその方法

発明者： 崔炳吉 ,  趙佑榮 ,  ▲オウ▼ヒュング▲ロク▼ ,  趙栢衡
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (4件)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-279998
公開番号（公開出願番号）：特開2005-100617
出願日： 2004年09月27日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：

【課題】 リセット状態での抵抗値の範囲が均一に維持されうるPRAM装置及びその方法を提供する。【解決手段】PRAMセルにデータを提供する段階と、前記PRAMセルに保存されたデータと前記PRAMセルに提供されたデータとが同一か否かを判断する段階と、前記保存されたデータと前記提供されたデータとが同一でなければ前記PRAMセルに所定大きさを有する補助書込み電流を供給して前記保存されたデータと前記提供されたデータとが同一か否かを再び判断する段階と、前記保存されたデータと前記提供されたデータとが同一であれば次のPRAMセルにデータを提供する段階と、を含むリセット状態での相変化物質の抵抗値の範囲を均一に維持する方法。前記PRAMセルに提供されるデータはリセットデータである。これにより、相変化物質と下部コンタクトとの接触面積の大きさがPRAMセル別に差があってもメモリセルがリセット状態で均一な抵抗範囲を有しうるという長所がある。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

相変化メモリセルにデータを提供する段階と、 前記相変化メモリセルに保存されたデータと前記相変化メモリセルに提供されたデータとが同一か否かを判断する段階と、 前記保存されたデータと前記提供されたデータとが同一でなければ、前記相変化メモリセルに所定の大きさを有する補助書込み電流を供給し、前記保存されたデータと前記提供されたデータとが同一か否かをさらに判断する段階と、 前記保存されたデータと前記提供されたデータとが同一であれば、次の相変化メモリセルにデータを提供する段階と、を含むことを特徴とするリセット状態での相変化物質の抵抗値の範囲を均一に維持する方法。

IPC (3件)：

G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L45/00

FI (3件)：

G11C13/00 A ,  H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA12 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 抵抗値変化型記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-281198   出願人：株式会社ルネサステクノロジ
• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-167045   出願人：セイコーエプソン株式会社