特許
J-GLOBAL ID：200903032619598606
抵抗値変化型記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-281198
公開番号（公開出願番号）：特開2005-050424
出願日： 2003年07月28日
公開日（公表日）： 2005年02月24日
要約：
【課題】 メモリセル特性のばらつきにかかわらず、正確にデータの書込を行ない、また正確にデータの読出を行なうことのできる抵抗値可変型記憶装置を実現する。【解決手段】 メモリセルアレイ(1)の可変抵抗素子型メモリセル(M)のデータの書込時、書込制御回路(4)の制御の下に書込データを読出した後、書込条件設定回路(5)により書込条件を変更してデータの書込を実行する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
記憶データに応じて電気的抵抗値が設定される複数の可変抵抗素子を含む複数メモリセルと、
前記複数のメモリセルの選択メモリセルへのデータ書込時、前記選択メモリセルへデータを書込む書込回路、
データ書込条件を格納するプログラムメモリ、および
前記データ書込時、前記プログラムメモリに格納された書込条件に従って前記書込回路の書込条件を設定し、前記書込回路により書込まれたデータを前記選択メモリセルから読出し、該読出データが書込データと対応しているかを判定し、該判定結果が不良を示すとき前記書込条件を変更して前記書込回路を再活性化し、前記判定結果が良を示すとき該書込条件を前記プログラムメモリに格納する書込制御回路を備える、抵抗値変化型記憶装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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