特許

J-GLOBAL ID：200903086175859958

LEDアレイ及びその製造方法

発明者： 草野 宇雄 ,  田尻 智義 ,  大川 一也
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大西 健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310705
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205226
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、配線層がファインピッチになっても配線層自体が段切れが起こることのないLEDアレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 LEDアレイ26は、発光領域として働く複数のp-GaAsP領域32を有しているN-GaAs基板30からなる。拡散防止層として働くAl2O3層34が、N-GaAs基板30に形成され、かつ発光領域32の表面を露出する開口を有する。Si3N4ような絶縁層36が、Al2O3層34上に形成される。複数の配線層38は、夫々複数のp-GaAsP領域32と電気的に接続されており、LEDアレイ26の複数のパッドへ延在している。配線層38は幅狭部を有していて、この幅狭部40はp-GaAsP領域32とオーミック接続され、かつp-GaAsP領域32の表面から露出されたAl2O3層34の表面へ延在する。配線層38はまた幅広部44を有していて、この幅広部44は露出されたAl2O3層34の表面から絶縁層36の表面へ延在する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成した発光領域と、前記半導体基板上に形成し、かつ前記発光領域を露出する開口を有する拡散防止層と、前記拡散防止層上に形成した絶縁層と、前記発光領域上から前記絶縁層上に延在するように形成され、かつ前記発光領域とオーミック接続された配線層とを有し、前記配線層は前記発光領域と前記絶縁層との間の段差部上に幅広部を有することを特徴とするLEDアレイ。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  B41J 2/44 ,  B41J 2/45 ,  B41J 2/455

FI (2件)：

H01L 33/00 E ,  B41J 3/21 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-194977
  
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-291515   出願人：京セラ株式会社