半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-259650
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097452
出願日： 1997年09月25日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】半導体装置に関し、MESFETを構成する半導体層に導入する不純物の濃度プロファイルを変更する旨の簡単な手段を採ることで寄生抵抗を低く抑えようとする。【解決手段】 n+ ソース領域38及びn+ ドレイン領域39に於ける不純物濃度が最大となる深さがnチャネル領域34Aに於ける不純物濃度が最大となる深さに比較して表面側に位置するLDD構造ヘテロ接合電界効果トランジスタを含んでいる。

請求項（抜粋）：

一導電型高濃度不純物領域に於ける不純物濃度が最大となる深さが一導電型チャネル領域に於ける不純物濃度が最大となる深さに比較して表面側に位置するLDD構造ヘテロ接合電界効果トランジスタを含んでなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-150140 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-124840
特開平4-061349

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審査官引用 (3件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-150140 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-124840
特開平4-061349

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