特許

J-GLOBAL ID：200903086223802432

シリコン系薄膜太陽電池

発明者： 市川 満 ,  山本 憲治
出願人/特許権者： 株式会社カネカ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-133387
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305826
出願日： 2006年05月12日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：

【課題】光電変換層に比べて低い屈折率を有する層を、光電変換層の形成と別種の設備を用いることなく、光入射側から見て光電変換層の後方にごく薄く配置することにより、十分な光閉じ込め効果を発揮でき、かつそのような低い屈折率を有する層が配置されていても太陽電池内のキャリア再結合を小さく保つことができ、高効率かつ低コストでシリコン系薄膜太陽電池を提供すること。【解決手段】本発明によれば、光電変換層よりも低い屈折率を有するシリコン系低屈折率層を、光電変換層の形成と別種の設備を用いることなく、光入射側から見て光電変換層の後方に形成することができるため、低コストで十分な光閉じ込め効果を発揮できる。さらにシリコン系低屈折率層の後方に薄い導電型シリコン系界面層を配置することで太陽電池の直列抵抗を小さく保つことができる。この結果、高効率かつ低コストでシリコン系薄膜太陽電池を提供することができる。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

光入射側から見て光電変換層の後方に導電型シリコン系低屈折率層、導電型シリコン系界面層が順に配置され、該導電型シリコン系低屈折率層および該導電型シリコン系界面層の厚さがそれぞれ0nmより大きく10nm以下であることを特徴とするシリコン系薄膜太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (2件)：

H01L31/04 A ,  H01L31/04 B

Fターム (22件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051CA02 ,  5F051CA03 ,  5F051CA04 ,  5F051CA05 ,  5F051CA16 ,  5F051CA35 ,  5F051CA36 ,  5F051CB12 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23 ,  5F051GA03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 公開特許公報特開平2-73672号
  
• シリコン系薄膜太陽電池
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2004010248   出願人：株式会社カネカ