特許

J-GLOBAL ID：200903086249750759

量子ドット構造体及びそれを有する半導体デバイス装置

発明者： 長尾 哲 ,  天内 英隆
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-273465
公開番号（公開出願番号）：特開2002-084042
出願日： 2000年09月08日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 量子ドットとマトリクス間のV族原子の置換及びIII族原子のミキシングを制御した量子ドット構造体を提供すること。【解決手段】 III-V族元素からなる第一の化合物半導体層18中に、III-V族元素からなる第二の化合物半導体を量子ドット16として有する量子ドット構造体であって、第一の化合物半導体層と第二の化合物半導体の間に、第二の化合物半導体と同一のV族元素を含有し、かつ第二の化合物半導体と比較して同等ないしは大きい禁制帯幅を有する第三の化合物半導体層17を設けたことを特徴とする量子ドット構造体。

請求項（抜粋）：

III-V族元素からなる第一の化合物半導体層中に、III-V族元素からなる第二の化合物半導体を量子ドットとして有する量子ドット構造体であって、第一の化合物半導体層と第二の化合物半導体の間に、第二の化合物半導体と同一のV族元素を含有し、かつ第二の化合物半導体と比較して同等ないしは大きい禁制帯幅を有する第三の化合物半導体層を設けたことを特徴とする量子ドット構造体。

IPC (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205

Fターム (26件)：

5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045CA09 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA56 ,  5F045DA63 ,  5F073AA75 ,  5F073BA01 ,  5F073CA07 ,  5F073CB10 ,  5F073EA03 ,  5F073EA23 ,  5F103AA04 ,  5F103DD03 ,  5F103DD05 ,  5F103DD08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL01 ,  5F103LL03 ,  5F103LL17

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-175674   出願人：富士通株式会社