半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-175674
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012961
出願日： 1998年06月23日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザに関し、量子ドット内における高速のキャリア緩和を可能にし、動作特性を向上する。【解決手段】半導体レーザの活性層4を構成する量子ドット1の伝導帯側または価電子帯側の離散化したエネルギー準位の内の少なくとも一方を1つだけにする。

請求項（抜粋）：

量子ドットを活性層とする半導体レーザにおいて、前記量子ドットの伝導帯側または価電子帯側の離散化したエネルギー準位の少なくとも一方が1つだけであることを特徴とする半導体レーザ。

Fターム (5件)：

5F073AA51 , 5F073AA75 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073DA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

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