特許
J-GLOBAL ID:200903086284950280

MID製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西川 惠清 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-293031
公開番号(公開出願番号):特開2002-111173
出願日: 2000年09月26日
公開日(公表日): 2002年04月12日
要約:
【要約】【課題】分離切断時に導体バリが発生しないMID製造方法を提供することにある。【解決手段】回路形成工程においてMID用成形体2の銅薄膜7による回路パターンと、連結片4に形成されている銅薄膜7との間で縁切りXを施し、この縁切りX部位を分離工程での切断部位とすることを特徴とする。
請求項(抜粋):
複数のMID用成形体と、各MID用成形体を連結片で一体連結して保持する保持枠体とからなる成形集合体を成形する工程と、該成形集合体表面に金属薄膜を形成した後、該金属薄膜の不要部位を除去して回路パターンを各MID用成形体表面に形成する回路形成工程と、回路パターン形成後、金属薄膜表面に電気メッキによってメッキを施すメッキ工程と、メッキ後各MID用成形体と連結片との連結部位を切断してMID用成形体を分離する分離工程とからなるMID製造方法において、上記回路形成工程においてMID用成形体の回路パターンを形成する金属薄膜と、連結片に形成されている金属薄膜との間で縁切りを施し、この縁切り部位を分離工程での切断部位とすることを特徴とするMID製造方法。
IPC (3件):
H05K 3/00 ,  H05K 3/18 ,  H05K 3/22
FI (4件):
H05K 3/00 X ,  H05K 3/00 W ,  H05K 3/18 G ,  H05K 3/22 E
Fターム (14件):
5E343AA01 ,  5E343AA05 ,  5E343AA11 ,  5E343BB16 ,  5E343BB23 ,  5E343BB24 ,  5E343BB44 ,  5E343BB71 ,  5E343DD43 ,  5E343DD75 ,  5E343ER12 ,  5E343ER21 ,  5E343ER60 ,  5E343GG20
引用特許:
審査官引用 (1件)

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