半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-181278
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015535
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】加工時のダメージを受けにくい半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体素子の電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、半導体ウェハ1表面に半導体素子1’の境界線となる溝1aを形成した後に半導体ウェハ1の電極形成面に樹脂層3を形成し、次いで溝が半導体ウェハ1の裏面側から見えるまで半導体ウェハの裏面を削って薄型にするとともに半導体素子1’を個片化する。その後樹脂層3に貫通孔3aを形成し、貫通孔3a内に電極2と導通する導電部7を形成した後に溝1aに沿って樹脂層3を切断することにより個片の半導体装置に分離する。

請求項（抜粋）：

半導体素子の外部接続用の電極が形成された電極形成面上を樹脂で封止した半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、複数の半導体素子が形成された半導体ウェハ表面に半導体素子の境界線となる溝を形成する工程と、この半導体ウェハの電極形成面に樹脂層を形成する工程と、前記溝が半導体ウェハの裏面側から見えるまで半導体ウェハの裏面を削る工程と、前記樹脂層に前記半導体素子の電極表面に到達する貫通孔を形成する工程と、この貫通孔内に前記電極と導通する導電部を形成する工程と、前記溝に沿って樹脂層を切断することにより個片の半導体装置に分離する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-284067 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭55-052235
特開昭61-112345

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審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-284067 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭55-052235
特開昭61-112345

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