特許
J-GLOBAL ID:200903086344898020

研磨用積層体および研磨方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-299565
公開番号(公開出願番号):特開2005-066749
出願日: 2003年08月25日
公開日(公表日): 2005年03月17日
要約:
【課題】 従来の、クッション層の上に研磨層を積層した研磨パッドの、比較的柔らかい材料の表面を研磨した場合に、被加工物表面にスクラッチが入りやすいという問題を解決するためのもので、その目的とするところは、特に低圧で研磨する場合においても、均一性の高い高速研磨が実現可能な研磨パッドに用いられる研磨用積層体を提供すること。【解決手段】 初期の厚みが0.2〜2mmの研磨層を有し、かつ圧縮率が1.5%以上である研磨用成形体が、見掛けの表面硬度が該研磨用成形体より大きい支持層に積層されていることを特徴とする研磨用積層体。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
初期の厚みが0.2〜2mmの研磨層を有し、かつ圧縮率が1.5%以上である研磨用成形体が、見掛けの表面硬度が該研磨用成形体より大きい支持層に積層されていることを特徴とする研磨用積層体。
IPC (2件):
B24B37/00 ,  H01L21/304
FI (2件):
B24B37/00 C ,  H01L21/304 622F
Fターム (5件):
3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CB02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特許第3013105号
  • 半導体ウェーハの中間膜平坦化装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-014539   出願人:ウェステックシステムズインコーポレイテッド, ローデルインコーポレイテッド

前のページに戻る