特許
J-GLOBAL ID:200903086348078639

予定再生操作を伴う不揮発性メモリ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井ノ口 壽
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-525169
公開番号(公開出願番号):特表2009-503744
出願日: 2006年08月01日
公開日(公表日): 2009年01月29日
要約:
不揮発性メモリアレイにおいて、消去済みブロックの不足が生じる前に行われる再生操作のスケジューリングは、制限時間の超過を招く長期間の再生を回避する。メモリコントローラは、メモリアレイに記憶されるデータに関する情報をもとに、プログラムされ得る追加のホストデータと遂行される再生操作とを推定し、メモリが満杯になるまで書き込み操作の合間に再生操作が均一に分散するようにスケジュールを組む。
請求項(抜粋):
ブロックの消去単位を有する不揮発性メモリで空間を管理する方法であって、前記不揮発性メモリは有効データで部分的に満たされたブロックを有する方法において、 (a)ホストから受信するホストデータを前記不揮発性メモリにプログラムすることと、(b)ある1つのブロックから別のブロックにかけて記憶済み有効データをコピーすることとを、前記メモリアレイで空間を再生するためにコピーされる有効データの量の推定から導き出される交互比に従い、交互に行うステップを含む方法。
IPC (2件):
G06F 12/02 ,  G06F 12/00
FI (2件):
G06F12/02 530E ,  G06F12/00 597U
Fターム (2件):
5B060AA10 ,  5B060CB00
引用特許:
出願人引用 (30件)
  • 米国特許第5,602,987号
  • 米国特許第6,771,536号
  • 米国特許第6,781,877号
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審査官引用 (2件)

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