特許
J-GLOBAL ID:200903086353226611
トランジスタの製造方法、電気光学装置、電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
西 和哉
, 志賀 正武
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-194242
公開番号(公開出願番号):特開2005-032857
出願日: 2003年07月09日
公開日(公表日): 2005年02月03日
要約:
【課題】トランジスタの電気的特性及び信頼性を高める。【解決手段】トップゲート構造のトランジスタにおいて、ゲート絶縁膜の一部を塗布法により形成する。この際、塗布膜が形成される半導体膜のサイズを、塗布液の物性,塗布条件及び必要となる塗布膜の膜厚に応じて最適に設定する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板上に半導体膜を形成する工程と、この半導体膜を島状にパターニングする工程と、この半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、このゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程とを備え、
上記ゲート絶縁膜の形成工程は、ゲート絶縁膜の少なくとも一部を構成する第1の絶縁膜を塗布法により形成する工程を含むことを特徴とする、トランジスタの製造方法。
IPC (5件):
H01L21/336
, G02F1/1333
, G02F1/1368
, H01L21/316
, H01L29/786
FI (5件):
H01L29/78 617V
, G02F1/1333 505
, G02F1/1368
, H01L21/316 G
, H01L29/78 617U
Fターム (74件):
2H090HB03X
, 2H090HB12X
, 2H090HC05
, 2H090HC08
, 2H090HC09
, 2H090HC12
, 2H090HC13
, 2H090HC18
, 2H090LA04
, 2H092JA25
, 2H092JA36
, 2H092KA12
, 2H092MA08
, 2H092MA09
, 2H092MA10
, 2H092MA12
, 2H092MA18
, 2H092MA23
, 2H092MA25
, 2H092MA35
, 2H092NA13
, 2H092NA29
, 5F058BA01
, 5F058BC02
, 5F058BD01
, 5F058BD04
, 5F058BD06
, 5F058BF17
, 5F058BF46
, 5F058BF73
, 5F058BF78
, 5F058BH03
, 5F058BJ01
, 5F110AA18
, 5F110AA26
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD15
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE05
, 5F110EE06
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110FF01
, 5F110FF02
, 5F110FF03
, 5F110FF09
, 5F110FF10
, 5F110FF22
, 5F110FF25
, 5F110FF27
, 5F110FF28
, 5F110FF30
, 5F110GG01
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG45
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110NN02
, 5F110NN22
, 5F110NN23
, 5F110PP02
, 5F110PP03
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110QQ11
, 5F110QQ19
引用特許:
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