特許
J-GLOBAL ID：200903086353226611

トランジスタの製造方法、電気光学装置、電子機器

発明者：
湯田坂 一夫

湯田坂 一夫 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-194242
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032857
出願日： 2003年07月09日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：
【課題】トランジスタの電気的特性及び信頼性を高める。【解決手段】トップゲート構造のトランジスタにおいて、ゲート絶縁膜の一部を塗布法により形成する。この際、塗布膜が形成される半導体膜のサイズを、塗布液の物性,塗布条件及び必要となる塗布膜の膜厚に応じて最適に設定する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に半導体膜を形成する工程と、この半導体膜を島状にパターニングする工程と、この半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成する工程と、このゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成する工程とを備え、 上記ゲート絶縁膜の形成工程は、ゲート絶縁膜の少なくとも一部を構成する第1の絶縁膜を塗布法により形成する工程を含むことを特徴とする、トランジスタの製造方法。
IPC (5件)：
H01L21/336 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/316 ,  H01L29/786
FI (5件)：
H01L29/78 617V ,  G02F1/1333 505 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/316 G ,  H01L29/78 617U
Fターム (74件)：
2H090HB03X ,  2H090HB12X ,  2H090HC05 ,  2H090HC08 ,  2H090HC09 ,  2H090HC12 ,  2H090HC13 ,  2H090HC18 ,  2H090LA04 ,  2H092JA25 ,  2H092JA36 ,  2H092KA12 ,  2H092MA08 ,  2H092MA09 ,  2H092MA10 ,  2H092MA12 ,  2H092MA18 ,  2H092MA23 ,  2H092MA25 ,  2H092MA35 ,  2H092NA13 ,  2H092NA29 ,  5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF17 ,  5F058BF46 ,  5F058BF73 ,  5F058BF78 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA18 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF22 ,  5F110FF25 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (2件)

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