薄膜トランジスタ及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-019342
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324809
出願日： 2002年01月29日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：

【要約】【課題】安価な無アニールガラスを基板として、500°C以下のプロセス温度で高信頼度を有し、良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】上記の課題を解決するため、レーザ光照射によって結晶化させた多結晶シリコン膜に対して、500°C以下の処理温度でオゾンガスとH2OまたはN2Oガスからなる混合ガスを供給する、または予めオゾン水またはNH3/過酸化水素水溶液等の溶液を用いて処理した後オゾン酸化処理することによって、多結晶シリコン膜の表面に4nm以上のシリコン酸化膜を形成する。この処理を施すことにより、無アニールガラス基板上に特性変動の小さい薄膜トランジスタを作製することが出来る。

請求項（抜粋）：

ガラス基板の上方に形成されたシリコン多結晶からなるチャネル領域とソース領域とドレイン領域と,第1の絶縁層と,第2の絶縁層と電極とを備え,前記ガラス基板が無アニールガラス基板であり,かつ前記第1の絶縁層がチャネルを覆うようにして形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 21/336 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1333 505 , G02F 1/1335 , G02F 1/1368 , H01L 21/316 , H01L 29/786

FI (8件)：

G02F 1/1333 500 , G02F 1/1333 505 , G02F 1/1335 , G02F 1/1368 , H01L 21/316 M , H01L 29/78 617 V , H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 617 T

Fターム (63件)：

2H090HA03 , 2H090HB03X , 2H090HC05 , 2H090JB02 , 2H090JD09 , 2H091FA37Y , 2H091GA01 , 2H091GA13 , 2H091LA12 , 2H092JA24 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB56 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KB25 , 2H092MA25 , 2H092MA30 , 2H092NA29 , 2H092PA01 , 2H092PA07 , 5F058BA20 , 5F058BB07 , 5F058BC02 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BF53 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BF69 , 5F058BJ10 , 5F110AA14 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110FF02 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF21 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110NN02 , 5F110PP03 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (7件)

多結晶シリコン層の形成方法及びそれを用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-269563 出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
多結晶シリコン層の形成方法およびそれを用いた多結晶シリコン薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-269562 出願人：エイ・ジー・テクノロジー株式会社
薄膜トランジスタおよび接合構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-253056 出願人：株式会社東芝

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