プラズマ発生装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木内光春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-064450
公開番号（公開出願番号）：特開2003-264099
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年09月19日
要約：

【要約】【課題】広いプラズマ密度範囲でマイクロ波吸収率が高く、連続的なプラズマ密度制御を実現して、密度ジャンプを緩和することが可能なプラズマ発生装置を提供する。【解決手段】処理室1、マイクロ波導入口2、導波誘電体3を備える。角筒形状の導波誘電体3を、処理室1の内壁に沿って螺旋状に形成する。導波誘電体3の長さを、マイクロ波吸収長よりも長く形成する。導波誘電体3の断面サイズは、入り口から離れるに従って徐々に小さくなってカットオフ断面サイズに近づいて行き、端部においてはカットオフ断面サイズよりも小さくする。導波誘電体3に入ったマイクロ波は、カットオフ断面サイズとなった付近で、カットオフ状態となり吸収され、プラズマが生成される。

請求項（抜粋）：

低圧ガスを収容可能な処理室と、プラズマ発生用のマイクロ波を前記処理室内へ導入する導波体とを備えたプラズマ処理装置において、前記導波体は、マイクロ波のプラズマ吸収長よりも長いことを特徴とするプラズマ発生装置。

IPC (2件)：

H05H 1/46 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H05H 1/46 B , H01L 21/302 B

Fターム (4件)：

5F004AA01 , 5F004BA20 , 5F004BB32 , 5F004BD01

引用特許：

審査官引用 (5件)

プラズマ発生装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-017226 出願人：三菱電機株式会社, 三菱電機エンジニアリング株式会社
特開平2-037698
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-141732 出願人：株式会社日立製作所

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