薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242814
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106574
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】薄膜トランジスタのオン電流を増加させ、リーク電流を低減させる。【構成】オフセット領域下の絶縁膜中に、フッ素等のイオン注入を行うことにより負電荷を埋め込んでオフセット部を反転させる。

請求項（抜粋）：

チャネル領域とドレイン領域の間にオフセット領域が形成された活性層と、前記活性層の第1の面上に形成された第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜を介して前記チャネル領域と対向する位置に形成されたゲート電極と、前記第1の絶縁膜を介して前記オフセット領域と対向する位置に形成され、不純物を含むことによって電荷を形成する第2の絶縁膜とを備えたことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平4-364074
特開平4-364074
特開昭57-134973

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