特許

J-GLOBAL ID：200903086418157728

カーボンナノチューブ、カーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜含有炭化珪素基板及びカーボンナノチューブ膜体並びにそれらの製造方法

発明者： 永野 孝幸 ,  谷 由加里 ,  柴田 典義
出願人/特許権者： 財団法人ファインセラミックスセンター
代理人 (1件)： 小島 清路 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-096837
公開番号（公開出願番号）：特開2003-292312
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月15日
要約：

【要約】【課題】 炭化珪素のC面のみならず、Si面から生成成長したカーボンナノチューブ及びその製造方法、炭化珪素のC面のみならず、Si面から多数のカーボンナノチューブが生成形成され、且つ所定の方向に高配向するカーボンナノチューブ膜、カーボンナノチューブ膜含有基板及びカーボンナノチューブ膜体並びにそれらを大量に製造する方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素の表面を化学処理し、処理後の炭化珪素を微量酸素の含有する雰囲気において該炭化珪素が分解して該炭化珪素の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、該炭化珪素から珪素原子を除去して、該炭化珪素の表面から内部へ生成成長させてカーボンナノチューブを得る。

請求項（抜粋）：

炭化珪素の表面を化学処理し、処理後の炭化珪素を微量酸素の含有する雰囲気において該炭化珪素が分解して該炭化珪素の表面から珪素原子が失われる温度に加熱することにより、該炭化珪素から珪素原子を除去して、該炭化珪素の表面から内部へカーボンナノチューブを生成成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。

Fターム (7件)：

4G146AA11 ,  4G146AB07 ,  4G146BA08 ,  4G146BC01 ,  4G146BC02 ,  4G146BC34A ,  4G146BC34B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• カーボンナノチューブ膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-282214   出願人：財団法人ファインセラミックスセンター