特許

J-GLOBAL ID：200903086435769036

光加熱装置、光加熱方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 伊藤 貴之 ,  圷 晴子 ,  飯沼 俊彦 ,  柴田 武 ,  須黒 恭一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-245249
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059854
出願日： 2001年08月13日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 光源と基板間の距離を近付けながら光のむらをなくして均一な熱が被処理基板に当たり、且つ不必要な光が被処理基板に照射されない装置の小形化及び光エネルギーの有効利用が可能な光加熱装置を提供し、急激な温度上昇に伴う熱ダメージを低減させる光加熱方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 光源を用いた熱処理(アニール)において、光源に対向する被処理基板と光源との間に光エネルギーを均一化する手段を介在させ。この手段を通過した光源からの光は、均一な状態で被処理基板に照射される。光加熱装置は、光源3と半導体基板1との間に光強度フィルタ2を挿入する。アニール中の半導体基板の温度を均熱化し、且つ基板に必要以上の光エネルギーが流入しないように調整できる。光加熱方法は、光照射によりアニールを行う際に基板表面に光吸収性を有する光吸収膜を形成する。これにより均熱性を向上させ、熱効率を上げて下地の半導体基板への光照射による熱ダメージを低減させる。

請求項（抜粋）：

放射される光エネルギーにより被処理基板を熱処理する光源と、前記光源に対向する前記被処理基板と前記光源との間に介在された光エネルギーを均一化する手段とを備えたことを特徴とする光加熱装置。

IPC (5件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/265 602 C ,  H01L 21/268 J ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/26 J

Fターム (8件)：

5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC16 ,  5F045BB02 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ10 ,  5F045EK12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-118112
  
• レーザー光照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-192962   出願人：三洋電機株式会社
• 特開昭62-216317