特許
J-GLOBAL ID:200903086454622216

液晶素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 丸島 儀一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-057293
公開番号(公開出願番号):特開平6-342163
出願日: 1994年03月28日
公開日(公表日): 1994年12月13日
要約:
【要約】【目的】 ヒステリシスの発生を抑制し、再現性のよい高品位の表示を行う。【構成】 液晶層4と該液晶層4を配向させる為の配向層3との界面に中性分子及び/又はイオン性分子からなる吸着層5を設けてなる液晶素子及びその為に吸着層5を液晶材料の注入前に配向層3上に形成する製造方法である。【作用】 ヒステリシスの原因となることがわかった液晶、配向層間のトラップ準位を埋めて非対象な界面電場の形成を防止してヒステリシスを抑え、表示再現性を向上させる。
請求項(抜粋):
液晶と前記液晶を配向させるための配向層とを有する液晶素子に関し、前記液晶と前記配向層との間に形成される界面に中性分子及び/又はイオン性分子を吸着させてなることを特徴とする液晶素子。
IPC (2件):
G02F 1/1337 510 ,  G02F 1/13 101
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭61-011724
  • 特開昭63-163426
  • 液晶表示素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-179480   出願人:松下電器産業株式会社
全件表示

前のページに戻る