特許
J-GLOBAL ID:200903086480281400
PZT膜のドライエッチング方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-238538
公開番号(公開出願番号):特開平7-094471
出願日: 1993年09月24日
公開日(公表日): 1995年04月07日
要約:
【要約】【目的】 ある所定の条件下においてエッチング加工を可能とするPZT膜のドライエッチング方法を提供する。【構成】 エッチングガスとしてCHF3、SF6、およびこれらの混合ガスを適用することによってPZT膜のドライエッチングが可能となる。さらに、処理圧力を15〜30mTorrの領域に保持すると、エッチングレートを約48nm/min程度の高いレベルで制御することができる。
請求項(抜粋):
エッチングガスとしてCHF3 、SF6 、またはこれらの混合ガスを用いることを特徴とするPZT膜のドライエッチング方法。
引用特許:
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