特許
J-GLOBAL ID：200903086481864752

プログラミング・消去・サイクリングが改善されたNROMセル

発明者：
エイタン,ボーツ

エイタン,ボーツ について


出願人/特許権者：
サイフアン・セミコンダクターズ・リミテツド

サイフアン・セミコンダクターズ・リミテツド について


代理人 (1件)： 川口 義雄 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-550153
公開番号（公開出願番号）：特表2002-516491
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
要約：
【要約】少なくとも1ビットのライン接合102、104に自己整列したポケットインプラント120を持つ窒化膜プログラム可能読出し専用メモリ(NROM)セル。代替形態では、ビットライン接合102、104は、近傍に配置された有効なプログラミングおよび消去の薄い領域を持つ。別の代替形態では、チャネル100はしきい値電圧レベルインプラントを持っており、そのインプラントは、チャネル100の中心領域で低電圧レベルを持ち、またビットライン接合102、104の少なくとも1つに近接して高電圧レベルピークを持つ。NROMセルは、1つのポケットインプラントを使用して1ビットを記憶し、また2つのポケットインプラントを使用して2ビットを記憶する。
請求項（抜粋）：
チャネルと、 前記チャネルの両側に各1つの2つの拡散領域であり、各拡散領域が前記チャネルへの接合を有するような2つの拡散領域と、 少なくとも前記チャネル上にある酸化膜-窒化膜-酸化膜(ONO)層と、 少なくとも前記ONO層上にある多結晶シリコンゲートと、 前記接合の少なくとも1つに自己整列されたポケットインプラントと を備えている、窒化膜プログラム可能読出専用メモリ(NROM)セル
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Fターム (13件)：
5F083EP18 ,  5F083EP48 ,  5F083EP64 ,  5F083EP69 ,  5F083ER05 ,  5F083ER30 ,  5F083GA21 ,  5F083JA04 ,  5F083PR37 ,  5F101BA45 ,  5F101BC11 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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