特許
J-GLOBAL ID：200903086486290819

強誘電体キャパシタ

発明者：
金 允基

金 允基 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169157
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065113
出願日： 1997年06月25日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体が後続工程の影響を受けにくい強誘電体キャパシタ構造を提供する。【解決手段】 上部電極層13を強誘電体11よりも広く形成するようにして、強誘電体11の真上を逸れた部分で上部電極層13のコンタクトをとる構造とする。コンタクトホール31の位置を強誘電体上からずらし、後続工程による影響を防いでキャパシタ特性の低下を防止する。本発明によれば、半導体基板内の活性領域へ接続される下部電極層9と、この下部電極層上に形成された強誘電体11と、これら下部電極層及び強誘電体を覆い、一部開口をもつバリア膜15と、このバリア膜の一部開口を通して強誘電体へ接し、少なくとも一部が強誘電体からはみ出すように延長されている上部電極層13と、を備えた強誘電体キャパシタが提供される。
請求項（抜粋）：
下部電極層と上部電極層との間に強誘電体を挟んでなる強誘電体キャパシタにおいて、上部電極層を強誘電体よりも広くして、強誘電体から外れた位置で上部電極層のコンタクトをとるようにしてあることを特徴とする強誘電体キャパシタ。
IPC (8件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371
引用特許：
審査官引用 (4件)
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